半导体二极管又称为晶体二极管，具有明显的单向导电性，是各种电器设备中应用较为广泛的一种半导体元器件，也是日常维修中经常碰到的—种元器件，常见的有普通二极管、稳压二极管、发光二极管、光敏二极管等。熟练掌握各种二极管的检测是初学者必需的技能。

　　1.普通二极管的检测

　　（1）小功率锗二极管的正向电阻为300Ω～500Ω，硅工极管为lkΩ或更大些。锗二极管的反向电阻为几十干欧，硅二极管的反向电阻在500kΩ以上（大功率的其值要小些）。

　　（2）根据二极管的正向电阻小，反向电阻大的特点可判断二极管的极性。将万用表拨到欧姆挡（—般用R×100或R×1k挡、不要用R×1挡或R×10k挡。因为R×1挡使用电流太大，容易烧毁管子；而R×10k挡使用的电压太高，可能击穿管子）。用表笔分别与二极管的两极性相连，测出两阻值，在所测得阻值较小的，与黑表笔相连的一端即为二极管的正极。同理，在所测得阻值较大的，与黑表笔相接的一端为二极管的负极。如果测得的反向电阻很小，说明二极管内部短路；若正向电阻很大，则说明管子内部断路。在这两种情况下二极管就需报废。

　　（3）硅二极管一般正向压降为0.6V～0.7V，锗二极管的正向压降为0.IV～0.3V，所以测量一下二极管的正向导通电压，便可判断被测二极管是硅管还是锗管，其方法是在干电池的—端串一个电阻（lkΩ），同时按极性与二极管相接，使二极管正向导通，这时用万用表测量二极管两端的管压降，如果是0，6V～0.7V即为硅管浊口为0，IV～0，3V即为锗管；若用在路动态测量则更为方便。

　　2.稳压二极管的测量

　　（1）一般使用万用表的低阻挡测量稳压二极管，由于表内电池为⒈5V，这个电压不足以使稳压二极管反向击穿，因而使用低阻挡测量稳压二极管正反向电阻，其阻值应和普通二极管一样。

　　（2）稳压二极管的稳压值vz的测量。测量时，必须使管子进人反向击穿区，所以电源电压要大于被测管的稳定电压，这样，就必须用万用表的高阻挡（R×10k挡），这时表内电池是电压较高的叠层电池，当万用表量程置于高阻挡后，测其反向电阻，若实测阻值为Rx，则稳压二极管的稳压值为：

　　式中，n-所用挡次的倍率数，如所用万用表的电阻挡是R×10k，则n=10000。

　　R0-是万用表的中心阻值。

　　E0-是所用万用表电阻挡的电池电压值。

　　例：用MF50型万用表测一只2CW14，R0＝10Ω，电阻挡为R×10k挡，Eo=15V，实测反向电阻为75kΩ，则其稳压值是：

　　如果实测阻值非常大（接近于无穷），表示被测管的稳压值Vz大于E0，无法将其击穿。如果实测阻值很小（0或只有几欧），则是表笔接反，只要将表笔互换就可以。

　　3.发光二极管的测量

　　发光二极管是一种把电能变换成光能的半导体器件，当它通过一定的电流时就会发光。它具有体积小，工作电压低，工作电流小等特点，

　　（1）发光二极管内部是一个PN结，具有单向导电性，故其检测方法类似于—般二极管的测量。

　　（2）万用表置于R×1k或R×10k挡，测其正反向电阻值，一般正向电阻小于50kΩ，反向电阻大于200kΩ。

　　（3）发光二极管的工作电流是重要的一个参数，工作电流太小，发光二极管点不亮，太大则易损坏发光二极管。

　　（4）发光二极管正向开启电压为1.2V～2.5V（高亮LED除外），而反向击穿电压为5V左右。

　　4.光敏二极管的测量

　　光敏二极管是一种能把光照强弱变化转换成电信号的半导体器件。

　　（1）光敏二极管的顶端有一个能射入光线的窗口，光线通过窗口照射到管芯上，在光的激发下，光敏二极管内产生大量的光电粒子，其导电能力大大增强，使内阻减小。

　　（2）光敏二极管和稳压二极管类似，也是工作在反向状态，须加反向电压。

　　（3）光敏二极管的正向电阻不随光的变化而变化，约为几千欧。其反向阻值在无光照时较大，受到光照时，其反向阻值变小，光照越强，反向电阻越小，甚至仅几百欧。去除光照条件，反向电阻立即恢复到原阻值。

　　（4）根据上述原理，用万用表测光敏二极管的反向电阻，边测边改变光的强弱，观察光敏二极管的反向电阻的变化。如在有光和无光时，反向电阻无变化或变化极小，说明该管已经失效。